R-0099 SiC功率模块的银烧结技术

技术需求简介：

需求概况：

第三代半导体碳化硅MOSFET器件的高温封装材料体系建设、先进互连技术开发。第三代半导体器件具有高温特性，甚至能在400℃以上正常工作，但传统的封装材料在200℃左右就会性能退化，严重影响可靠性，开发高温高性能的封装材料及先进工艺是当下需要解决的技术难点。

主要技术指标：

1. 灌封绝缘材料耐温≥220℃；

2. 焊浆料热导率≥200W\/(m·K)、剪切强度≥50MPa。

   
   

需求应用范围及应用场景：

主要用于电动汽车、光伏、特种电源等领域。国产化。

联系人：范老师