2024-11-14
技术需求简介：
成果概况 本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 增强了层叠封装芯片的抗静电能力；提高了器件工作中的大电流通过能力； 具有 较小的漏电流和寄生电容；本发明提供的TSV转接板的制备方法均可在现有的TSV工艺平台中实现，因此兼容性强，适用范围广。 主要技术指标、配套条件 所述衬底材料为Si材料，晶向为(100)、(110)或(111)，掺杂浓度为1014～1017cm-3，厚度为150～250μm；所述ESD防护器件为横向结构二极管； 应用范围及应用案例： 基于硅通孔(Through-Silicon Via，简称TSV)技术的系统级封装因具有高集成密度、低信号延迟、低功耗等优点，在半导体元件和封装基板之间引入转接板的2 .5D封装技术是可以使芯片继续沿着摩尔定律的蓝图向前发展的重要技术之一。 转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板可以将密集的I/O引线进行再分布，实现多芯片的高密度互连，成为纳米级集成电路与毫米级宏观世界之间电信号连接最有效的手段之一。 据有关报道，集成电路领域的故障中有近35％的故障是由ESD所引发的，因此芯片内部都设计有ESD保护结构来提高器件的可靠性。
联系人：范老师