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S--0041小型化原子层沉积系统

2025-01-22

技术需求简介:

成果概况:

     本成果针对微电子领域,为小型化原子层沉积设备,可用于新材料的研发,也适用于高校的课程使用 半导体技术快速发展,集成电路中的晶体管数目不断增加,使得沟道长度不断缩小,原子层沉积技术成为制备高介电栅介质层的不二之选,并已成为半导体研发生长中的一个重要技术。


主要技术指标、配套条件

   1. 反应腔内径5cm长100cm;

   2. 包含5路前驱体,其中2路为可加热源 ;

   3. 生长温度为室温至500℃ 。


应用范围及应用案例

    成果可应用于微电子、光电子、光学、纳米技术、微机械系统、 能源、催化、生物医用、显示器、耐腐蚀及密封涂层等领域。



联系人:范老师