2025-01-22
技术需求简介：
成果概况：
本项目针对 SiC，GaN 等第三代半导体材料开发了新的复合磨削加工工艺。将大幅提高第三代半导体器件制作效率、 降低第三代半导体器件相关费用。 主要技术指标、配套条件 SiC 及 GaN 材料属于典型的硬脆材料，目前加工工艺复杂且效率极低，相应的半导体器件应用受到很大限制。新的高效低损复合加工工艺加工效率将远超传统纯机械研磨、抛光，表面/亚表面质量可达到精 抛甚至化学机械抛光工艺水平。 应用范围及应用案例 本项目希望能与美国 Cree 公司、II -VI 公司以及德国 SiCCrystal AG公司等第三代半导体衬底企业合作，加工半导体器件将面向国内复杂极端环境下的军用电子战武器、雷达以及民用有线电视、手机信号塔、蜂窝基础设施等商业领域。
联系人：范老师