S-0052室温下快速沉积薄膜单晶硅技术

技术需求简介：

成果概况：

      本成果利用物理沉积方法在室温下快速沉积致密、单一取向的单晶硅薄膜。工艺简单、成本低、效率高、安全无污染、薄膜均匀致密。通过本工艺制备的薄膜具有缺陷少、界面性能优、耐高温、耐腐蚀、平整度高的特点。

主要技术指标、配套条件

      关键技术在于真空环境下溅射硅靶材表面，使硅原子高速运动，到达衬底后按层迁移，排列形成薄膜结构的硅单晶。硅薄膜厚度在5-50 nm，可作为超薄、高质量的外延层，用于制作高性能、先进制程的器件。

应用范围及应用案例：

      本成果仅利用硅原料即可在室温下快速沉积单晶硅薄膜，无需高温和氯硅烷，无反应副产物，安全无污染。由原子力显微镜图像中观察到的晶格条纹可确认薄膜的单晶结构，IV曲线可确认表层薄膜的电学特性和市售高阻单晶硅片高度一致。

联系人：范老师