S-0061ZD芯片

技术需求简介：

成果概况：

     ZD芯片采用65nm CMOS工艺，集成射频放大与衰减、变频链路、中频链路、本振链路等多个功能模块，集成宽带变频电路中除滤波器外的所有电路。

     芯片应用于二次变频超外差射频链路，也可单独使用芯片上的部分电路，利用半导体集成化优势取代传统mmic组成的板级电路;使用时用户只需配置滤波器、程控芯片参数即可组成上下变频电路。

主要技术指标、配套条件

     工作频段覆盖0.2~18GHZ，分段实现射频与中频信号间转换。三个频段0.2~2GHZ、2~6GHz和6~18GHz频段均采用二次变频方案，最终达到中频链路,中频支持400MHZ,1GHZ, 2GHZ,4GHz四种带宽选择。

   (1) 射频链路和中频链路独立可调衰减;

   (2) 不同射频频段对应不同的一中频频率、中频频率及带宽；

   (3) 收发分时工作；

   (4) 射频、本振、混频、中频电源可独立供电。

联系人：范老师