R-0061CMOS-MEMS 集成低温晶圆键合技术

技术需求简介：

重点描述企业需要解决的问题及主要技术指标、配套条件：

一、需解决的主要技术问题：

对低温熔融键合技术机理以及影响低温键合的关键因素主要包括晶圆表面污染物、晶圆翘曲度与晶圆表面粗糙度。低温熔融键合应用于硅硅的键合、硅与氧化硅的键合、氧化硅与氧化硅的键合、图形化衬底与裸硅的键合、带有金属布线衬底与裸硅的键合、带有金属布线的图形化衬底与裸硅的键合，提高键合效果与质量强度。带有金属布线的图形化衬底与裸硅键合实现 CMOS IC 工艺与 MEMS 技术的集成，实现 CMOS 电路与 MEMS 器件结构的三维堆叠。

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联系人：范老师